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Alvo DRAM para aquecer! Micron 908 bilhões de yuans em planta de expansão de Taiwan

Em 26 de agosto, de acordo com o Taiwan Media Economic Daily, a Micron gastará NT $ 400 bilhões (cerca de 90,8 bilhões de RMB) para construir duas fábricas ao lado da fábrica de Taiwan para produzir DRAM para a próxima geração do processo mais recente.

O plano de investimento da Micron é construir duas fábricas A4 e A5 ao lado da atual fábrica de Zhongke. Entre eles, a fábrica A3 será concluída em agosto do próximo ano, e a mais recente produção experimental de processo 1z será introduzida no quarto trimestre do ano que vem, estreitando assim a lacuna com a Samsung; a segunda fase da usina A5 expandirá gradualmente a capacidade de produção de acordo com a demanda do mercado, e a meta de capacidade de produção mensal será de 60.000 peças.

De acordo com a notícia de Taiwan, o investimento da Micron será o segundo maior caso de investimento de semicondutores em Taiwan (após a expansão da TSMC e da Nanke). Se é estrangeiro, é o maior caso de investimento.

A filial de Taiwan confirmou a notícia de que a Micron expandiu sua planta A3 em Taichung e entrou no projeto de construção. Entende-se que Micron gastou muito dinheiro para expandir a fábrica durante o período de vento frio, principalmente porque otimista sobre 5G impulsionará o desenvolvimento de inteligência artificial, Internet das coisas e aplicações de piloto automático, impulsionando a demanda por crescimento de DRAM e negócios de slot de cartão precoce oportunidades.

Recentemente, a expansão da sua fábrica Feb10 em Cingapura pela Micron também foi concluída. Embora não tenha aumentado sua capacidade de produção, permitirá que a Micron continue a produzir produtos de memória flash multicamadas com altos requisitos de processo.

Como os preços da memória caíram todo o caminho este ano, tanto a Samsung quanto a SK Hynix suspenderam seus planos de expansão. Os recentes planos de expansão da Micron foram lançados simultaneamente, com o objetivo de roubar participação de mercado através de capacidade suficiente e processos de última geração nos primeiros dias da indústria de memória.