De acordo com a mídia estrangeira Tom's Hardware, a GlobalFoundries anunciou esta semana que construiu com sucesso chips 3DArm de alto desempenho usando seu processo FinFET de 12nm.
"Esses chips 3D de alta densidade trarão novo desempenho e eficiência energética para aplicações de computação, como AI / ML (inteligência artificial e aprendizado de máquina) e soluções móveis e sem fio para consumidores de alto nível," disse GlobalFoundries.
Segundo relatos, a GlobalFoundries e a Arm validaram o método de teste de projeto 3D (DFT) usando a ligação wafer-wafer híbrida da Groffont. Essa tecnologia suporta até 1 milhão de conexões 3D por milímetro quadrado, tornando-a altamente escalável e deve proporcionar uma vida útil mais longa para chips de 12nm3D.
Para a tecnologia de empacotamento 3D, a Intel anunciou sua pesquisa sobre o empilhamento de chips 3D no ano passado. A AMD também falou sobre a solução de sobreposição de DRAM 3D e SRAM em seu chip.